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1

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10

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￥45.85619
500

￥43.260556
1000

￥40.811846

Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1

Name: IPB60R070CFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPB60R070CFD7ATMA1
Price: 51.52 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB60R070CFD7ATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPB60R070CFD7ATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R

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IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R

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IPB60R070CFD7ATMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

156W Tc
操作温度

-55°C~150°C TJ
系列

CoolMOS™ CFD7
零件状态

活跃
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 15.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 760μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2721pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±20V

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