Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

101W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ C7

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 440μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1670pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.125Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

89 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant