Infineon Technologies IPB65R190C6

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

1000

Manufacturer Part Number

IPB65R190C6

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

D2PAK

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

8.43

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

133 ns

包装

Tape & Reel

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

151 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

151 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

20.2 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

漏源击穿电压

700 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66 A

输入电容

1.62 nF

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

485 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

190 mΩ

最大rds

190 mΩ

通态电阻

190 mΩ