Infineon Technologies IPB65R190CFD

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPB65R190CFD

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

D2PAK

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

0.71

Samacsys Description

Infineon IPB65R190CFD N-channel MOSFET Transistor, 17.5 A, 700 V, 3-Pin TO-263

Drain Current-Max (ID)

17.5 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Pd - Power Dissipation

151 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.139332 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000905378 IPB65R19CFDXT IPB65R190CFDATMA1

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

68 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

171 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

53.2 ns

Id - Continuous Drain Current

17.5 A

系列

CoolMOS CFD2

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8.4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

57.2 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

484 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

长度

10 mm