Infineon Technologies IPC100N04S402ATMA1
- 收藏
- 对比
IPC100N04S402ATMA1
1211-IPC100N04S402ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 8TDSON
1最小包装量--
IPC100N04S402ATMA1详情
Infineon Technologies IPC100N04S402ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 80μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 50A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
105nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.0024Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
雪崩能量等级(Eas)
315 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPC100N04S402ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。