Infineon Technologies IPC218N06N3X1SA2

工厂交货时间

18 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

Die

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 196μA

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tj

已出版

2013

系列

OptiMOS™

包装

Bulk

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UNSPECIFIED

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XXUC-N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2A, 10V

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅