Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1
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IPC302N20N3X1SA1
1211-IPC302N20N3X1SA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
Die
大陆
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MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
1最小包装量--
IPC302N20N3X1SA1详情
Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
包装
Bulk
系列
OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XXUC-N
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 260μA
无卤素
无卤素
漏源电压 (Vdss)
200V
漏极-源极导通最大电阻
0.1Ohm
DS 击穿电压-最小值
200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPC302N20N3X1SA1拓展信息
Infineon Technologies
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