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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.707998
10
¥5.384908
100
¥5.080099
500
¥4.792545
1000
¥4.52127
Infineon Technologies IPD031N03M G
- 收藏
- 对比
IPD031N03M G
1211-IPD031N03M G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
--最小包装量--
¥
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IPD031N03M G详情
Infineon Technologies IPD031N03M G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD031N03M G拓展信息
Infineon Technologies
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