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IPD038N06N3G
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Infineon Technologies IPD038N06N3G

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型号

IPD038N06N3G

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD038N06N3G

商品类别

无类别的

封装

TO-252-2(DPAK)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

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IPD038N06N3G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

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IPD038N06N3G详情

技术参数

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Infineon Technologies IPD038N06N3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    TO-252-2(DPAK)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 场效应管类型

    N通道

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.8mΩ @ 90A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 90uA

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 25°C时的连续漏极电流（Id）。

    90A

  • 功率耗散-最大值（Ta=25°C）

    188W

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IPD038N06N3G.

IPD038N06N3G拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS