Infineon Technologies IPD050N03LGBTMA1
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IPD050N03LGBTMA1
1211-IPD050N03LGBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
1最小包装量--
IPD050N03LGBTMA1详情
Infineon Technologies IPD050N03LGBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3-11
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
68W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3200pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
50A
输入电容
3.2nF
最大rds
5 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD050N03LGBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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