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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥38.170474
10
¥36.009881
100
¥33.971586
500
¥32.048666
1000
¥30.23459
Infineon Technologies IPD053N08N3G
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IPD053N08N3G
1211-IPD053N08N3G
无类别的
TO-252
大陆
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MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD053N08N3G详情
Infineon Technologies IPD053N08N3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-252
包装
Tape & Reel (TR)
场效应管类型
N通道
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.3mΩ @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 90uA
漏源电压 (Vdss)
80V
25°C时的连续漏极电流(Id)。
90A Tc
功率耗散-最大值(Ta=25°C)
150W Tc
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD053N08N3G拓展信息






哦! 它是空的。