IPD053N08N3G
IPD053N08N3G

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥38.170474

  • 10

    ¥36.009881

  • 100

    ¥33.971586

  • 500

    ¥32.048666

  • 1000

    ¥30.23459

Infineon Technologies IPD053N08N3G

  • 收藏
  • 对比

型号

IPD053N08N3G

utmel 编号

1211-IPD053N08N3G

商品类别

无类别的

封装

TO-252

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IPD053N08N3G
IPD053N08N3G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

单价: $

合计:

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IPD053N08N3G详情

Infineon Technologies IPD053N08N3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-252

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 场效应管类型

    N通道

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.3mΩ @ 90A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.5V @ 90uA

  • 漏源电压 (Vdss)

    80V

  • 25°C时的连续漏极电流(Id)。

    90A Tc

  • 功率耗散-最大值(Ta=25°C)

    150W Tc

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IPD053N08N3G.

IPD053N08N3G拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS