Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 33μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.5m Ω @ 45A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1730pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45A

漏极-源极导通最大电阻

0.0135Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

DS 击穿电压-最小值

80V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准