Infineon Technologies IPD144N06NGBTMA1

工厂交货时间

25 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 80μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

系列

OptiMOS™

已出版

2011

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

135W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.4m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

54nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

50A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准