Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA1

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO252-3-11

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

136W (Tc)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD30N06S2L13ATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.23

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 80μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.017 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-