Infineon Technologies IPD30N06S3L-20
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IPD30N06S3L-20
1211-IPD30N06S3L-20
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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N-CHANNEL POWER MOSFET
--最小包装量--
IPD30N06S3L-20详情
Infineon Technologies IPD30N06S3L-20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
供应商器件包装
PG-TO252-3-11
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
厂商
Infineon Technologies
Package Description
GREEN, TO-252, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IPD30N06S3L-20
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.26
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
30 A
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
无铅代码
有
端子表面处理
未说明
附加功能
超低电阻
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 20μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
37 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±16V
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.038 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
IPD30N06S3L-20拓展信息
Infineon Technologies
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