Infineon Technologies IPD350N06LG

表面安装

YES

包装/外壳

TO-252-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IPD350N06LG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-252AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

1.44

Drain Current-Max (ID)

29 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

6 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.2 V

Pd - Power Dissipation

68 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.139332 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

IPD35N6LGXT SP000443746 IPD350N06LGBTMA1

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

10 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

35 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

29 ns

Id - Continuous Drain Current

29 A

系列

OptiMOS 2

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍镀锡

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

21 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

29 A

漏极-源极导通最大电阻

0.035 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

116 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

68 W

产品类别

MOSFET

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm