Infineon Technologies IPD50N06S3L-06

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO252-3-11

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Power Dissipation (Max)

-

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IPD50N06S3L-06

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.26

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

50 A

系列

OptiMOS-T

操作温度

-

端子表面处理

哑光锡

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

710 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-