Infineon Technologies IPD50R380CEBTMA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

73W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

CoolMOS™

已出版

2014

无铅代码

no

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.2A, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 260μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

584pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32.4A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

173 mJ

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

ROHS3 Compliant