Infineon Technologies IPD50R520CPBTMA1
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IPD50R520CPBTMA1
1211-IPD50R520CPBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Trans MOSFET N-CH 550V 7.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252
1最小包装量--
IPD50R520CPBTMA1详情
Infineon Technologies IPD50R520CPBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
175°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.52Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15A
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
166 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD50R520CPBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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