Infineon Technologies IPD50R950CEBTMA1
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IPD50R950CEBTMA1
1211-IPD50R950CEBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
1最小包装量--
IPD50R950CEBTMA1详情
Infineon Technologies IPD50R950CEBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Power Dissipation (Max)
34W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
CoolMOS™
已出版
2013
无铅代码
no
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
950m Ω @ 1.2A, 13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
231pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
超级交界处
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD50R950CEBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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