Infineon Technologies IPD60R380C6BTMA1

包装/外壳

TO-252-3

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Id - Continuous Drain Current

10.6 A

Rds On - Drain-Source Resistance

380 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

32 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

83 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

9 ns

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Typical Turn-Off Delay Time

110 ns

Typical Turn-On Delay Time

15 ns

Part # Aliases

IPD60R380C6 SP000660628 IPD60R380C6XT

Unit Weight

0.011640 oz

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD60R380C6BTMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.04

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

10.6 A

包装

MouseReel

系列

CoolMOS C6

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

600 V CoolMOS C6 Power Transistor

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH VOLTAGE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

达到SVHC

not_compliant