Infineon Technologies IPD60R380E6ATMA2
- 收藏
- 对比
IPD60R380E6ATMA2
1211-IPD60R380E6ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
--最小包装量--
IPD60R380E6ATMA2详情
Infineon Technologies IPD60R380E6ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
系列
CoolMOS™
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 300μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
700pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
10.6A
最大双电源电压
600V
输入电容
700pF
场效应管特性
超级交界处
最大rds
380 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IPD60R380E6ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。