Infineon Technologies IPD60R385CPBTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

385m Ω @ 5.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 340μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.385Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

雪崩能量等级（Eas）

227 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅