Infineon Technologies IPD65R380C6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 320μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ C6

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

符合RoHS标准