Infineon Technologies IPD65R600C6ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Min.)

-55°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

142 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准