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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.935267
10
¥6.542704
100
¥6.172363
500
¥5.822984
1000
¥5.493381
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1
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- 对比
IPD65R660CFDATMA1
1211-IPD65R660CFDATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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MOSFET N-CH 650V 6A TO252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPD65R660CFDATMA1详情
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
62.5W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2008
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
660m Ω @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 200μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
615pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPD65R660CFDATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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