Infineon Technologies IPD65R950CFDBTMA1

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

36.7W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

CoolMOS™

已出版

2012

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 200μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.1nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant