Infineon Technologies IPD70R900P7SAUMA1
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IPD70R900P7SAUMA1
1211-IPD70R900P7SAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
--最小包装量--
IPD70R900P7SAUMA1详情
Infineon Technologies IPD70R900P7SAUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max)
30.5W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
58 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 60μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ P7
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
通道数量
1
功率耗散
30.5W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
900m Ω @ 1.1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
211pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 10V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
700V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.55mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
达到SVHC
not_compliant
IPD70R900P7SAUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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