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1

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10

￥9.68211
100

￥9.134066
500

￥8.617044
1000

￥8.129286

Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1

Name: IPD95R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD95R1K2P7ATMA1
Price: 10.26 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD95R1K2P7ATMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD95R1K2P7ATMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

INFINEON - IPD95R1K2P7ATMA1 - MOSFET, 950V, 6A, 150DEG C, 52W

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IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies INFINEON - IPD95R1K2P7ATMA1 - MOSFET, 950V, 6A, 150DEG C, 52W

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IPD95R1K2P7ATMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型

表面贴装
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 140μA
Power Dissipation (Max)

52W Tc
已出版

2018
系列

CoolMOS™ P7
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55°C~150°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2 Ω @ 2.7A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

478pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

950V
Vgs（最大值）

±20V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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