Infineon Technologies IPDD60R050G7XTMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

10-PowerSOP Module

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

47A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

278W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ G7

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

278W

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 15.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 800μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2670pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

47A

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

漏源击穿电压

600V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

2.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant