Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1
1211-IPDD60R080G7XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
10-PowerSOP Module
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MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
1最小包装量--
IPDD60R080G7XTMA1详情
Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
包装/外壳
10-PowerSOP Module
安装类型
表面贴装
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
29A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 490μA
Turn Off Delay Time
61 ns
Power Dissipation (Max)
174W Tc
系列
CoolMOS™ G7
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
功率耗散
174W
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 9.7A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
29A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
2.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPDD60R080G7XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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