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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.670939
10
¥18.55749
100
¥17.507065
500
¥16.5161
1000
¥15.581226
Infineon Technologies IPDD60R190G7XTMA1
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- 对比
IPDD60R190G7XTMA1
1211-IPDD60R190G7XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
10-PowerSOP Module
大陆
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MOSFET NCH 650V 36A PG-HDSOP-10
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPDD60R190G7XTMA1详情
Infineon Technologies IPDD60R190G7XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
10-PowerSOP Module
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
76W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 210μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ G7
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 4.2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
718pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPDD60R190G7XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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