Infineon Technologies IPG20N04S409ATMA1

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.0086Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

145 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant