Infineon Technologies IPI100P03P3L-04
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IPI100P03P3L-04
1211-IPI100P03P3L-04
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
1最小包装量--
IPI100P03P3L-04详情
Infineon Technologies IPI100P03P3L-04重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
200W Tc
Turn Off Delay Time
200 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
4mOhm
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.3m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 475μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+5V, -16V
下降时间(典型值)
180 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
5V
漏源击穿电压
-30V
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI100P03P3L-04拓展信息
Infineon Technologies
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