Infineon Technologies IPI45P03P4L11AKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

58W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 85μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.1m Ω @ 45A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

55nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

+5V, -16V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

45A

栅极至源极电压(Vgs)

5V

最大双电源电压

-30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0111Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

110 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅