Infineon Technologies IPI60R250CPAKSA1

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.084002g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 440μA

Turn Off Delay Time

110 ns

Power Dissipation (Max)

104W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

已出版

2011

系列

CoolMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 7.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

17ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

宽度

4.52mm

长度

10.36mm

高度

9.45mm

RoHS状态

符合RoHS标准