Infineon Technologies IPI65R420CFDXKSA1

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.7A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 340μA

Power Dissipation (Max)

83.3W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2008

系列

CoolMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 3.4A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.42Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

227 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

compliant