Infineon Technologies IPI80N03S4L-03

表面安装

NO

包装/外壳

TO-262-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

PG-TO262-3-1

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Style

IN-LINE

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Drain Current-Max (ID)

80 A

Risk Rank

5.34

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Part Package Code

TO-262AA

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI80N03S4L-03

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.2 V

Pd - Power Dissipation

136 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 16 V, + 16 V

Unit Weight

0.084199 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000273285 IPI8N3S4L3XK IPI80N03S4L03AKSA1

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

110 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

2.7 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

62 ns

Id - Continuous Drain Current

80 A

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

136W (Tc)

Product Status

活跃

系列

OptiMOS-T2

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

无铅代码

无

端子表面处理

未说明

附加功能

超低电阻

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 90µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9750 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140 nC @ 10 V

上升时间

9 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-262AA

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

长度

10.2 mm