Infineon Technologies IPI80N03S4L04AKSA1

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

94W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 45μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2010

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 80A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏极-源极导通最大电阻

0.0037Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

95 mJ

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准