Infineon Technologies IPI80N04S2H4AKSA1
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IPI80N04S2H4AKSA1
1211-IPI80N04S2H4AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
1最小包装量--
IPI80N04S2H4AKSA1详情
Infineon Technologies IPI80N04S2H4AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
46 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2008
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
148nC @ 10V
上升时间
63ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPI80N04S2H4AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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