Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1

表面安装

NO

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

安装类型

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 93μA

Power Dissipation (Max)

158W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

已出版

2010

系列

OptiMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 60A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2075pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏极-源极导通最大电阻

0.0147Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

280 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant