Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK
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IPI80N06S3L06XK
1211-IPI80N06S3L06XK
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262
1最小包装量--
IPI80N06S3L06XK详情
Infineon Technologies IPI80N06S3L06XK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO262-3
Power Dissipation (Max)
136W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 80μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.9mOhm @ 56A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9417pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
196nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
80A
输入电容
9.417nF
最大rds
5.9 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPI80N06S3L06XK拓展信息
Infineon Technologies
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