Infineon Technologies IPI80N06S4L-05

表面安装

NO

包装/外壳

TO-262-3

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

IPI80N06S4L-05

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Package Code

TO-262AA

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

Risk Rank

8.43

Drain Current-Max (ID)

80 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.2 V

Pd - Power Dissipation

107 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 16 V, + 16 V

Unit Weight

0.084199 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000415692 IPI80N06S4L05AKSA1

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

83 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

4.8 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

80 ns

Id - Continuous Drain Current

80 A

系列

OptiMOS-T2

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

上升时间

4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

152 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

107 W

产品类别

MOSFET

宽度

4.5 mm

高度

9.45 mm

长度

10.2 mm

达到SVHC

not_compliant