Infineon Technologies IPI80P04P4L08AKSA1
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IPI80P04P4L08AKSA1
1211-IPI80P04P4L08AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-262
1最小包装量--
IPI80P04P4L08AKSA1详情
Infineon Technologies IPI80P04P4L08AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
42 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 120μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.2m Ω @ 80A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5430pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
+5V, -16V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大双电源电压
-40V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPI80P04P4L08AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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