Infineon Technologies IPL60R065P7AUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

41A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

201W Tc

Turn Off Delay Time

73 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 800μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ P7

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PSSO-N4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

201W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 15.9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2895pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

41A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

漏源击穿电压

600V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant