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内地含税价

1

￥18.336897
10

￥17.298959
100

￥16.319773
500

￥15.396013
1000

￥14.52454

Infineon Technologies IPL60R185P7AUMA1

Name: IPL60R185P7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPL60R185P7AUMA1
Price: 18.34 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPL60R185P7AUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPL60R185P7AUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

4-PowerTSFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4

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IPL60R185P7AUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4

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IPL60R185P7AUMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies IPL60R185P7AUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

4-PowerTSFN
供应商器件包装

PG-VSON-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 280μA
Power Dissipation (Max)

81W Tc
操作温度

-40°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
系列

CoolMOS™ P7
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

185mOhm @ 5.6A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1081pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

650V
Vgs（最大值）

±20V
漏源电阻

149mOhm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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IPL60R185P7AUMA1拓展信息

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