Infineon Technologies IPL65R420E6AUMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 300μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ E6

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 3.4A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10.1A

最大双电源电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26A

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅