Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

63W Tc

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ E6

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

63W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

660m Ω @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 200μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.66Ohm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅