Infineon Technologies IPL65R725CFDAUMA1
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IPL65R725CFDAUMA1
1211-IPL65R725CFDAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-PowerTSFN
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MOSFET N-Ch 700V 5.8A VSON-5
1最小包装量--
IPL65R725CFDAUMA1详情
Infineon Technologies IPL65R725CFDAUMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-PowerTSFN
引脚数
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
62.5W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 200μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
2
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
725m Ω @ 2.1A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
615pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大双电源电压
650V
漏源击穿电压
650V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPL65R725CFDAUMA1拓展信息
Infineon Technologies
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